0 0 0
  8. SI2300DS-T1-GE3

Транзисторы с каналом N SMD SI2300DS-T1-GE3

 
SI2300DS-T1-GE3
 
VISHAY
Артикул: 959611
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 3,6А; Idm: 15А; 1,1Вт; SOT23
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
27.01 грн
10+
24.23 грн
25+
20.10 грн
83+
12.00 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Строк поставки:  уточнюйте
Купити
Виробник
VISHAY(36)
Монтаж
SMD(1436750)
Корпус
SOT23(1440262)
Напруга сток-джерело
30В(1441247)
Струм стока
3,6А(1441602)
Опір в стані провідності
68мОм(1609782)
Тип транзистора
N-MOSFET(1441241)
Потужність розсіювання
1,1Вт(1449376)
Поляризація
польовий(1441242)
Вид упаковки
cтрічка(1443488) ролик(1437179)
Заряд затвора
10нКл(1479106)
Вид каналу
збагачений(1536812)
Напруга затвор-джерело
Струм стоку в імпульсі
15А(1741672)
Додаткова інформація: Маса брутто: 0,1 g
 
Транзисторы с каналом N SMD SI2300DS-T1-GE3
VISHAY
Артикул: 959611
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 3,6А; Idm: 15А; 1,1Вт; SOT23
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
27.01 грн
10+
24.23 грн
25+
20.10 грн
83+
12.00 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Строк поставки:  уточнюйте
Специфікація
Виробник
VISHAY
Монтаж
SMD
Корпус
SOT23
Напруга сток-джерело
30В
Струм стока
3,6А
Опір в стані провідності
68мОм
Тип транзистора
N-MOSFET
Потужність розсіювання
1,1Вт
Поляризація
польовий
Вид упаковки
cтрічка
Вид упаковки
ролик
Заряд затвора
10нКл
Вид каналу
збагачений
Струм стоку в імпульсі
15А
Додаткова інформація: Маса брутто: 0,1 g