0 0 0
  8. SI2301CDS-T1-GE3

Транзистори з каналом P SMD SI2301CDS-T1-GE3

 
SI2301CDS-T1-GE3
 
VISHAY
Артикул: 140899
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -20В; -1,8А; 1,6Вт; SOT23
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
5+
12.72 грн
25+
11.13 грн
100+
9.93 грн
110+
8.96 грн
Мін. замовлення: 5
Кратність: 1
Кількість: 6137 шт.
Строк поставки:  2-4 тижні
Купити
Виробник
VISHAY(36)
Монтаж
SMD(1436750)
Корпус
SOT23(1440262)
Напруга сток-джерело
-20В(1478965)
Струм стока
-1,8А(1492353)
Опір в стані провідності
142мОм(1643361)
Тип транзистора
P-MOSFET(1441250)
Потужність розсіювання
1,6Вт(1449364)
Поляризація
польовий(1441242)
Вид упаковки
cтрічка(1443488) ролик(1437179)
Заряд затвора
10нКл(1479106)
Вид каналу
збагачений(1536812)
Напруга затвор-джерело
Додаткова інформація: Маса брутто: 0,027 g
 
Транзистори з каналом P SMD SI2301CDS-T1-GE3
VISHAY
Артикул: 140899
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -20В; -1,8А; 1,6Вт; SOT23
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
5+
12.72 грн
25+
11.13 грн
100+
9.93 грн
110+
8.96 грн
Мін. замовлення: 5
Кратність: 1
Кількість: 6137 шт.
Строк поставки:  2-4 тижні
Специфікація
Виробник
VISHAY
Монтаж
SMD
Корпус
SOT23
Напруга сток-джерело
-20В
Струм стока
-1,8А
Опір в стані провідності
142мОм
Тип транзистора
P-MOSFET
Потужність розсіювання
1,6Вт
Поляризація
польовий
Вид упаковки
cтрічка
Вид упаковки
ролик
Заряд затвора
10нКл
Вид каналу
збагачений
Додаткова інформація: Маса брутто: 0,027 g