0 0 0
  8. SI2302DDS-T1-GE3

Транзистори з каналом N SMD SI2302DDS-T1-GE3

 
SI2302DDS-T1-GE3
 
VISHAY
Артикул: 077373
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 20В; 2,1А; 0,46Вт; SOT23
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
32.58 грн
10+
24.40 грн
25+
18.44 грн
100+
14.62 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Кількість: 4731 шт.
Строк поставки:  2-4 тижні
Купити
Виробник
VISHAY(36)
Монтаж
SMD(1436750)
Корпус
SOT23(1440262)
Напруга сток-джерело
20В(1441277)
Струм стока
2,1А(1479110)
Опір в стані провідності
57мОм(1619503)
Тип транзистора
N-MOSFET(1441241)
Потужність розсіювання
0,46Вт(1741780)
Поляризація
польовий(1441242)
Вид упаковки
cтрічка(1443488) ролик(1437179)
Заряд затвора
3,5нКл(1479135)
Вид каналу
збагачений(1536812)
Напруга затвор-джерело
Додаткова інформація: Маса брутто: 0,026 g
 
Транзистори з каналом N SMD SI2302DDS-T1-GE3
VISHAY
Артикул: 077373
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 20В; 2,1А; 0,46Вт; SOT23
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
32.58 грн
10+
24.40 грн
25+
18.44 грн
100+
14.62 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Кількість: 4731 шт.
Строк поставки:  2-4 тижні
Специфікація
Виробник
VISHAY
Монтаж
SMD
Корпус
SOT23
Напруга сток-джерело
20В
Струм стока
2,1А
Опір в стані провідності
57мОм
Тип транзистора
N-MOSFET
Потужність розсіювання
0,46Вт
Поляризація
польовий
Вид упаковки
cтрічка
Вид упаковки
ролик
Заряд затвора
3,5нКл
Вид каналу
збагачений
Додаткова інформація: Маса брутто: 0,026 g