Транзистори з каналом N SMD SI2304DDS-T1-GE3

 
SI2304DDS-T1-GE3
 
Артикул: 077374
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 3,3А; 1,1Вт; SOT23
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
3+
22.49 грн
25+
12.95 грн
96+
10.45 грн
262+
9.88 грн
Мін. замовлення: 3
Кратність: 1
Кількість: 3839 шт.
Строк поставки:  2-4 тижні
Виробник
VISHAY(36)
Монтаж
SMD(1436750)
Корпус
SOT23(1440262)
Напруга сток-джерело
30В(1441247)
Струм стока
3,3А(1492298)
Опір в стані провідності
75мОм(1479133)
Тип транзистора
N-MOSFET(1441241)
Потужність розсіювання
1,1Вт(1449376)
Поляризація
польовий(1441242)
Вид упаковки
cтрічка(1443488) ролик(1437179)
Заряд затвора
2,1нКл(1636481)
Вид каналу
збагачений(1536812)
Напруга затвор-джерело
Додаткова інформація: Маса брутто: 0,023 g
 
Транзистори з каналом N SMD SI2304DDS-T1-GE3
VISHAY
Артикул: 077374
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 3,3А; 1,1Вт; SOT23
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
3+
22.49 грн
25+
12.95 грн
96+
10.45 грн
262+
9.88 грн
Мін. замовлення: 3
Кратність: 1
Кількість: 3839 шт.
Строк поставки:  2-4 тижні
Специфікація
Виробник
VISHAY
Монтаж
SMD
Корпус
SOT23
Напруга сток-джерело
30В
Струм стока
3,3А
Опір в стані провідності
75мОм
Тип транзистора
N-MOSFET
Потужність розсіювання
1,1Вт
Поляризація
польовий
Вид упаковки
cтрічка
Вид упаковки
ролик
Заряд затвора
2,1нКл
Вид каналу
збагачений
Додаткова інформація: Маса брутто: 0,023 g