0 0 0
  8. SI2307BDS-T1-E3

Транзисторы с каналом P SMD SI2307BDS-T1-E3

 
SI2307BDS-T1-E3
 
VISHAY
Артикул: 405822
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -30В; -2,5А; Idm: -12А; 0,48Вт
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
3+
30.75 грн
25+
27.41 грн
45+
21.93 грн
124+
20.74 грн
Мін. замовлення: 3
Кратність: 1
Строк поставки:  уточнюйте
Купити
Виробник
VISHAY(36)
Монтаж
SMD(1436750)
Корпус
SOT23(1440262)
Напруга сток-джерело
-30В(1478951)
Струм стока
-2,5А(1492293)
Опір в стані провідності
78мОм(1479284)
Тип транзистора
P-MOSFET(1441250)
Потужність розсіювання
0,48Вт(1741764)
Поляризація
польовий(1441242)
Вид упаковки
cтрічка(1443488) ролик(1437179)
Заряд затвора
15нКл(1479067)
Вид каналу
збагачений(1536812)
Напруга затвор-джерело
Струм стоку в імпульсі
-12А(1801470)
Додаткова інформація: Маса брутто: 0,1 g
 
Транзисторы с каналом P SMD SI2307BDS-T1-E3
VISHAY
Артикул: 405822
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -30В; -2,5А; Idm: -12А; 0,48Вт
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
3+
30.75 грн
25+
27.41 грн
45+
21.93 грн
124+
20.74 грн
Мін. замовлення: 3
Кратність: 1
Строк поставки:  уточнюйте
Специфікація
Виробник
VISHAY
Монтаж
SMD
Корпус
SOT23
Напруга сток-джерело
-30В
Струм стока
-2,5А
Опір в стані провідності
78мОм
Тип транзистора
P-MOSFET
Потужність розсіювання
0,48Вт
Поляризація
польовий
Вид упаковки
cтрічка
Вид упаковки
ролик
Заряд затвора
15нКл
Вид каналу
збагачений
Струм стоку в імпульсі
-12А
Додаткова інформація: Маса брутто: 0,1 g