0 0 0
  8. SI2308BDS-T1-GE3

Транзистори з каналом N SMD SI2308BDS-T1-GE3

 
SI2308BDS-T1-GE3
 
VISHAY
Артикул: 077376
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 1,8А; 1,06Вт; SOT23
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
38.94 грн
3+
34.17 грн
10+
30.99 грн
25+
27.97 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Кількість: 12102 шт.
Строк поставки:  2-4 тижні
Купити
Виробник
VISHAY(36)
Монтаж
SMD(1436750)
Корпус
SOT23(1440262)
Напруга сток-джерело
60В(1441252)
Струм стока
1,8А(1492260)
Опір в стані провідності
192мОм(1638690)
Тип транзистора
N-MOSFET(1441241)
Потужність розсіювання
1,06Вт(1741763)
Поляризація
польовий(1441242)
Вид упаковки
cтрічка(1443488) ролик(1437179)
Заряд затвора
2,3нКл(1479230)
Вид каналу
збагачений(1536812)
Напруга затвор-джерело
Додаткова інформація: Маса брутто: 0,024 g
 
Транзистори з каналом N SMD SI2308BDS-T1-GE3
VISHAY
Артикул: 077376
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 1,8А; 1,06Вт; SOT23
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
38.94 грн
3+
34.17 грн
10+
30.99 грн
25+
27.97 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Кількість: 12102 шт.
Строк поставки:  2-4 тижні
Специфікація
Виробник
VISHAY
Монтаж
SMD
Корпус
SOT23
Напруга сток-джерело
60В
Струм стока
1,8А
Опір в стані провідності
192мОм
Тип транзистора
N-MOSFET
Потужність розсіювання
1,06Вт
Поляризація
польовий
Вид упаковки
cтрічка
Вид упаковки
ролик
Заряд затвора
2,3нКл
Вид каналу
збагачений
Додаткова інформація: Маса брутто: 0,024 g