0 0 0
  8. SI2308CDS-T1-GE3

Транзистори з каналом N SMD SI2308CDS-T1-GE3

 
SI2308CDS-T1-GE3
 
VISHAY
Артикул: 959603
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 2,6А; Idm: 6А; 1Вт; SOT23
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
19.92 грн
10+
13.63 грн
25+
12.27 грн
100+
10.92 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Строк поставки:  уточнюйте
Купити
Виробник
VISHAY(36)
Монтаж
SMD(1436750)
Корпус
SOT23(1440262)
Напруга сток-джерело
60В(1441252)
Струм стока
2,6А(1479113)
Опір в стані провідності
144мОм(1711575)
Тип транзистора
N-MOSFET(1441241)
Потужність розсіювання
1Вт(1487288)
Поляризація
польовий(1441242)
Вид упаковки
cтрічка(1443488) ролик(1437179)
Заряд затвора
4нКл(1632973)
Вид каналу
збагачений(1536812)
Напруга затвор-джерело
Струм стоку в імпульсі
6А(1790199)
Додаткова інформація: Маса брутто: 0,1 g
 
Транзистори з каналом N SMD SI2308CDS-T1-GE3
VISHAY
Артикул: 959603
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 2,6А; Idm: 6А; 1Вт; SOT23
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
19.92 грн
10+
13.63 грн
25+
12.27 грн
100+
10.92 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Строк поставки:  уточнюйте
Специфікація
Виробник
VISHAY
Монтаж
SMD
Корпус
SOT23
Напруга сток-джерело
60В
Струм стока
2,6А
Опір в стані провідності
144мОм
Тип транзистора
N-MOSFET
Потужність розсіювання
1Вт
Поляризація
польовий
Вид упаковки
cтрічка
Вид упаковки
ролик
Заряд затвора
4нКл
Вид каналу
збагачений
Струм стоку в імпульсі
6А
Додаткова інформація: Маса брутто: 0,1 g