0 0 0
  8. SI2312BDS-T1-GE3

Транзистори з каналом N SMD SI2312BDS-T1-GE3

 
SI2312BDS-T1-GE3
 
VISHAY
Артикул: 405704
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 20В; 3,9А; Idm: 15А; 0,48Вт; SOT23
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
3+
30.97 грн
25+
27.98 грн
49+
21.35 грн
134+
20.22 грн
Мін. замовлення: 3
Кратність: 1
Строк поставки:  уточнюйте
Купити
Виробник
VISHAY(36)
Монтаж
SMD(1436750)
Корпус
SOT23(1440262)
Напруга сток-джерело
20В(1441277)
Струм стока
3,9А(1441264)
Опір в стані провідності
31мОм(1479141)
Тип транзистора
N-MOSFET(1441241)
Потужність розсіювання
0,48Вт(1741764)
Поляризація
польовий(1441242)
Вид упаковки
cтрічка(1443488) ролик(1437179)
Заряд затвора
12нКл(1479115)
Вид каналу
збагачений(1536812)
Напруга затвор-джерело
Струм стоку в імпульсі
15А(1741672)
Додаткова інформація: Маса брутто: 0,1 g
 
Транзистори з каналом N SMD SI2312BDS-T1-GE3
VISHAY
Артикул: 405704
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 20В; 3,9А; Idm: 15А; 0,48Вт; SOT23
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
3+
30.97 грн
25+
27.98 грн
49+
21.35 грн
134+
20.22 грн
Мін. замовлення: 3
Кратність: 1
Строк поставки:  уточнюйте
Специфікація
Виробник
VISHAY
Монтаж
SMD
Корпус
SOT23
Напруга сток-джерело
20В
Струм стока
3,9А
Опір в стані провідності
31мОм
Тип транзистора
N-MOSFET
Потужність розсіювання
0,48Вт
Поляризація
польовий
Вид упаковки
cтрічка
Вид упаковки
ролик
Заряд затвора
12нКл
Вид каналу
збагачений
Струм стоку в імпульсі
15А
Додаткова інформація: Маса брутто: 0,1 g