0 0 0
  8. SI2312CDS-T1-GE3

Транзистори з каналом N SMD SI2312CDS-T1-GE3

 
SI2312CDS-T1-GE3
 
VISHAY
Артикул: 077377
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 20В; 5,1А; 1,3Вт; SOT23
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
23.78 грн
10+
17.84 грн
25+
14.43 грн
89+
11.10 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Кількість: 4054 шт.
Строк поставки:  2-4 тижні
Купити
Виробник
VISHAY(36)
Монтаж
SMD(1436750)
Корпус
SOT23(1440262)
Напруга сток-джерело
20В(1441277)
Струм стока
5,1А(1479146)
Опір в стані провідності
41,4мОм(1790165)
Тип транзистора
N-MOSFET(1441241)
Потужність розсіювання
1,3Вт(1449369)
Поляризація
польовий(1441242)
Вид упаковки
cтрічка(1443488) ролик(1437179)
Заряд затвора
8,8нКл(1636391)
Вид каналу
збагачений(1536812)
Напруга затвор-джерело
Додаткова інформація: Маса брутто: 0,031 g
 
Транзистори з каналом N SMD SI2312CDS-T1-GE3
VISHAY
Артикул: 077377
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 20В; 5,1А; 1,3Вт; SOT23
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
23.78 грн
10+
17.84 грн
25+
14.43 грн
89+
11.10 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Кількість: 4054 шт.
Строк поставки:  2-4 тижні
Специфікація
Виробник
VISHAY
Монтаж
SMD
Корпус
SOT23
Напруга сток-джерело
20В
Струм стока
5,1А
Опір в стані провідності
41,4мОм
Тип транзистора
N-MOSFET
Потужність розсіювання
1,3Вт
Поляризація
польовий
Вид упаковки
cтрічка
Вид упаковки
ролик
Заряд затвора
8,8нКл
Вид каналу
збагачений
Додаткова інформація: Маса брутто: 0,031 g