0 0 0
  8. SI2315BDS-T1-GE3

Транзисторы с каналом P SMD SI2315BDS-T1-GE3

 
SI2315BDS-T1-GE3
 
VISHAY
Артикул: 953687
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -12В; -3А; Idm: -12А; 0,48Вт; SOT23
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
45.29 грн
10+
38.45 грн
60+
16.60 грн
164+
15.73 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Кількість: 3000 шт.
Строк поставки:  2-4 тижні
Купити
Виробник
VISHAY(36)
Монтаж
SMD(1436750)
Корпус
SOT23(1440262)
Напруга сток-джерело
-12В(1478988)
Струм стока
-3А(1492259)
Опір в стані провідності
50мОм(1441532)
Тип транзистора
P-MOSFET(1441250)
Потужність розсіювання
0,48Вт(1741764)
Поляризація
польовий(1441242)
Вид упаковки
cтрічка(1443488) ролик(1437179)
Заряд затвора
15нКл(1479067)
Вид каналу
збагачений(1536812)
Напруга затвор-джерело
Струм стоку в імпульсі
-12А(1801470)
Додаткова інформація: Маса брутто: 0,024 g
 
Транзисторы с каналом P SMD SI2315BDS-T1-GE3
VISHAY
Артикул: 953687
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -12В; -3А; Idm: -12А; 0,48Вт; SOT23
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
45.29 грн
10+
38.45 грн
60+
16.60 грн
164+
15.73 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Кількість: 3000 шт.
Строк поставки:  2-4 тижні
Специфікація
Виробник
VISHAY
Монтаж
SMD
Корпус
SOT23
Напруга сток-джерело
-12В
Струм стока
-3А
Опір в стані провідності
50мОм
Тип транзистора
P-MOSFET
Потужність розсіювання
0,48Вт
Поляризація
польовий
Вид упаковки
cтрічка
Вид упаковки
ролик
Заряд затвора
15нКл
Вид каналу
збагачений
Струм стоку в імпульсі
-12А
Додаткова інформація: Маса брутто: 0,024 g