0 0 0
  8. SI2316BDS-T1-E3

Транзистори з каналом N SMD SI2316BDS-T1-E3

 
SI2316BDS-T1-E3
 
VISHAY
Артикул: 853730
Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; польовий; 30В; 4,5А; Idm: 20А
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
40.73 грн
10+
34.50 грн
25+
26.76 грн
42+
24.28 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Строк поставки:  уточнюйте
Купити
Виробник
VISHAY(36)
Монтаж
SMD(1436750)
Корпус
SOT23(1440262)
Напруга сток-джерело
30В(1441247)
Струм стока
4,5А(1441265)
Опір в стані провідності
80мОм(1441523)
Тип транзистора
N-MOSFET(1441241)
Потужність розсіювання
1,25Вт(1702038)
Поляризація
польовий(1441242)
Вид упаковки
cтрічка(1443488) ролик(1437179)
Заряд затвора
9,6нКл(1479383)
Технологія
TrenchFET®(1811164)
Вид каналу
збагачений(1536812)
Напруга затвор-джерело
Струм стоку в імпульсі
20А(1741666)
Додаткова інформація: Маса брутто: 0,1 g
 
Транзистори з каналом N SMD SI2316BDS-T1-E3
VISHAY
Артикул: 853730
Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; польовий; 30В; 4,5А; Idm: 20А
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
40.73 грн
10+
34.50 грн
25+
26.76 грн
42+
24.28 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Строк поставки:  уточнюйте
Специфікація
Виробник
VISHAY
Монтаж
SMD
Корпус
SOT23
Напруга сток-джерело
30В
Струм стока
4,5А
Опір в стані провідності
80мОм
Тип транзистора
N-MOSFET
Потужність розсіювання
1,25Вт
Поляризація
польовий
Вид упаковки
cтрічка
Вид упаковки
ролик
Заряд затвора
9,6нКл
Технологія
TrenchFET®
Вид каналу
збагачений
Струм стоку в імпульсі
20А
Додаткова інформація: Маса брутто: 0,1 g