0 0 0
  8. SI2319DS-T1-E3

Транзистори з каналом P SMD SI2319DS-T1-E3

 
SI2319DS-T1-E3
 
VISHAY
Артикул: 431643
Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; польовий; -40В; -2,4А; Idm: -12А
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
74.69 грн
5+
43.70 грн
25+
39.41 грн
33+
30.22 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Кількість: 4052 шт.
Строк поставки:  2-4 тижні
Купити
Виробник
VISHAY(36)
Монтаж
SMD(1436750)
Корпус
SOT23(1440262)
Напруга сток-джерело
-40В(1441467)
Струм стока
-2,4А(1492272)
Опір в стані провідності
0,13Ом(1492358)
Тип транзистора
P-MOSFET(1441250)
Потужність розсіювання
0,8Вт(1507583)
Поляризація
польовий(1441242)
Вид упаковки
cтрічка(1443488) ролик(1437179)
Заряд затвора
17нКл(1479101)
Технологія
TrenchFET®(1811164)
Вид каналу
збагачений(1536812)
Напруга затвор-джерело
Струм стоку в імпульсі
-12А(1801470)
Додаткова інформація: Маса брутто: 0,026 g
 
Транзистори з каналом P SMD SI2319DS-T1-E3
VISHAY
Артикул: 431643
Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; польовий; -40В; -2,4А; Idm: -12А
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
74.69 грн
5+
43.70 грн
25+
39.41 грн
33+
30.22 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Кількість: 4052 шт.
Строк поставки:  2-4 тижні
Специфікація
Виробник
VISHAY
Монтаж
SMD
Корпус
SOT23
Напруга сток-джерело
-40В
Струм стока
-2,4А
Опір в стані провідності
0,13Ом
Тип транзистора
P-MOSFET
Потужність розсіювання
0,8Вт
Поляризація
польовий
Вид упаковки
cтрічка
Вид упаковки
ролик
Заряд затвора
17нКл
Технологія
TrenchFET®
Вид каналу
збагачений
Струм стоку в імпульсі
-12А
Додаткова інформація: Маса брутто: 0,026 g