0 0 0
  8. SI2323DDS-T1-GE3

Транзистори з каналом P SMD SI2323DDS-T1-GE3

 
SI2323DDS-T1-GE3
 
VISHAY
Артикул: 947633
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -20В; -3,8А; Idm: -20А; 1,1Вт; SOT23
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
39.73 грн
50+
29.40 грн
51+
19.54 грн
139+
18.47 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Кількість: 2997 шт.
Строк поставки:  2-4 тижні
Купити
Виробник
VISHAY(36)
Монтаж
SMD(1436750)
Корпус
SOT23(1440262)
Напруга сток-джерело
-20В(1478965)
Струм стока
-3,8А(1492294)
Опір в стані провідності
68мОм(1609782)
Тип транзистора
P-MOSFET(1441250)
Потужність розсіювання
1,1Вт(1449376)
Поляризація
польовий(1441242)
Вид упаковки
cтрічка(1443488) ролик(1437179)
Заряд затвора
13,6нКл(1609781)
Вид каналу
збагачений(1536812)
Напруга затвор-джерело
Струм стоку в імпульсі
-20А(1741687)
Додаткова інформація: Маса брутто: 0,026 g
 
Транзистори з каналом P SMD SI2323DDS-T1-GE3
VISHAY
Артикул: 947633
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -20В; -3,8А; Idm: -20А; 1,1Вт; SOT23
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
39.73 грн
50+
29.40 грн
51+
19.54 грн
139+
18.47 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Кількість: 2997 шт.
Строк поставки:  2-4 тижні
Специфікація
Виробник
VISHAY
Монтаж
SMD
Корпус
SOT23
Напруга сток-джерело
-20В
Струм стока
-3,8А
Опір в стані провідності
68мОм
Тип транзистора
P-MOSFET
Потужність розсіювання
1,1Вт
Поляризація
польовий
Вид упаковки
cтрічка
Вид упаковки
ролик
Заряд затвора
13,6нКл
Вид каналу
збагачений
Струм стоку в імпульсі
-20А
Додаткова інформація: Маса брутто: 0,026 g