0 0 0
  8. SI2323DS-T1-GE3

Транзисторы с каналом P SMD SI2323DS-T1-GE3

 
SI2323DS-T1-GE3
 
VISHAY
Артикул: 1065331
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -20В; -3,8А; Idm: -20А; 1,25Вт
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
68.47 грн
10+
54.15 грн
25+
48.40 грн
36+
28.02 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Кількість: 2900 шт.
Строк поставки:  2-4 тижні
Купити
Виробник
VISHAY(36)
Монтаж
SMD(1436750)
Корпус
SOT23(1440262)
Напруга сток-джерело
-20В(1478965)
Струм стока
-3,8А(1492294)
Опір в стані провідності
68мОм(1609782)
Тип транзистора
P-MOSFET(1441250)
Потужність розсіювання
1,25Вт(1702038)
Поляризація
польовий(1441242)
Вид упаковки
cтрічка(1443488) ролик(1437179)
Заряд затвора
19нКл(1479054)
Вид каналу
збагачений(1536812)
Напруга затвор-джерело
Струм стоку в імпульсі
-20А(1741687)
Додаткова інформація: Маса брутто: 0,019 g
 
Транзисторы с каналом P SMD SI2323DS-T1-GE3
VISHAY
Артикул: 1065331
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -20В; -3,8А; Idm: -20А; 1,25Вт
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
68.47 грн
10+
54.15 грн
25+
48.40 грн
36+
28.02 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Кількість: 2900 шт.
Строк поставки:  2-4 тижні
Специфікація
Виробник
VISHAY
Монтаж
SMD
Корпус
SOT23
Напруга сток-джерело
-20В
Струм стока
-3,8А
Опір в стані провідності
68мОм
Тип транзистора
P-MOSFET
Потужність розсіювання
1,25Вт
Поляризація
польовий
Вид упаковки
cтрічка
Вид упаковки
ролик
Заряд затвора
19нКл
Вид каналу
збагачений
Струм стоку в імпульсі
-20А
Додаткова інформація: Маса брутто: 0,019 g