0 0 0
  8. SI2333DDS-T1-GE3

Транзистори з каналом P SMD SI2333DDS-T1-GE3

 
SI2333DDS-T1-GE3
 
VISHAY
Артикул: 997753
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -12В; -5,2А; Idm: -20А; 1,1Вт; SOT23
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
28.58 грн
3+
27.54 грн
10+
24.53 грн
25+
20.64 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Кількість: 2728 шт.
Строк поставки:  2-4 тижні
Купити
Виробник
VISHAY(36)
Монтаж
SMD(1436750)
Корпус
SOT23(1440262)
Напруга сток-джерело
-12В(1478988)
Струм стока
-5,2А(1479057)
Опір в стані провідності
0,15Ом(1492413)
Тип транзистора
P-MOSFET(1441250)
Потужність розсіювання
1,1Вт(1449376)
Поляризація
польовий(1441242)
Вид упаковки
cтрічка(1443488) ролик(1437179)
Заряд затвора
35нКл(1479287)
Вид каналу
збагачений(1536812)
Напруга затвор-джерело
Струм стоку в імпульсі
-20А(1741687)
Додаткова інформація: Маса брутто: 0,024 g
 
Транзистори з каналом P SMD SI2333DDS-T1-GE3
VISHAY
Артикул: 997753
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -12В; -5,2А; Idm: -20А; 1,1Вт; SOT23
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
28.58 грн
3+
27.54 грн
10+
24.53 грн
25+
20.64 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Кількість: 2728 шт.
Строк поставки:  2-4 тижні
Специфікація
Виробник
VISHAY
Монтаж
SMD
Корпус
SOT23
Напруга сток-джерело
-12В
Струм стока
-5,2А
Опір в стані провідності
0,15Ом
Тип транзистора
P-MOSFET
Потужність розсіювання
1,1Вт
Поляризація
польовий
Вид упаковки
cтрічка
Вид упаковки
ролик
Заряд затвора
35нКл
Вид каналу
збагачений
Струм стоку в імпульсі
-20А
Додаткова інформація: Маса брутто: 0,024 g