0 0 0
  8. SI2333DS-T1-E3

Транзисторы с каналом P SMD SI2333DS-T1-E3

 
SI2333DS-T1-E3
 
VISHAY
Артикул: 953684
Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; польовий; -12В; -5,3А; Idm: -20А
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
60.38 грн
10+
52.44 грн
25+
46.00 грн
32+
31.70 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Кількість: 2965 шт.
Строк поставки:  2-4 тижні
Купити
Виробник
VISHAY(36)
Монтаж
SMD(1436750)
Корпус
SOT23(1440262)
Напруга сток-джерело
-12В(1478988)
Струм стока
-5,3А(1479053)
Опір в стані провідності
59мОм(1479368)
Тип транзистора
P-MOSFET(1441250)
Потужність розсіювання
1,25Вт(1702038)
Поляризація
польовий(1441242)
Вид упаковки
cтрічка(1443488) ролик(1437179)
Заряд затвора
18нКл(1479041)
Технологія
TrenchFET®(1811164)
Вид каналу
збагачений(1536812)
Напруга затвор-джерело
Струм стоку в імпульсі
-20А(1741687)
Додаткова інформація: Маса брутто: 0,029 g
 
Транзисторы с каналом P SMD SI2333DS-T1-E3
VISHAY
Артикул: 953684
Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; польовий; -12В; -5,3А; Idm: -20А
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
60.38 грн
10+
52.44 грн
25+
46.00 грн
32+
31.70 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Кількість: 2965 шт.
Строк поставки:  2-4 тижні
Специфікація
Виробник
VISHAY
Монтаж
SMD
Корпус
SOT23
Напруга сток-джерело
-12В
Струм стока
-5,3А
Опір в стані провідності
59мОм
Тип транзистора
P-MOSFET
Потужність розсіювання
1,25Вт
Поляризація
польовий
Вид упаковки
cтрічка
Вид упаковки
ролик
Заряд затвора
18нКл
Технологія
TrenchFET®
Вид каналу
збагачений
Струм стоку в імпульсі
-20А
Додаткова інформація: Маса брутто: 0,029 g