0 0 0
  8. SI2336DS-T1-GE3

Транзистори з каналом N SMD SI2336DS-T1-GE3

 
SI2336DS-T1-GE3
 
VISHAY
Артикул: 077384
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 4,1А; 1,1Вт; SOT23
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
3+
19.63 грн
25+
12.00 грн
100+
10.65 грн
109+
9.27 грн
Мін. замовлення: 3
Кратність: 1
Кількість: 4005 шт.
Строк поставки:  2-4 тижні
Купити
Виробник
VISHAY(36)
Монтаж
SMD(1436750)
Корпус
SOT23(1440262)
Напруга сток-джерело
30В(1441247)
Струм стока
4,1А(1441393)
Опір в стані провідності
52мОм(1479252)
Тип транзистора
N-MOSFET(1441241)
Потужність розсіювання
1,1Вт(1449376)
Поляризація
польовий(1441242)
Вид упаковки
cтрічка(1443488) ролик(1437179)
Заряд затвора
5,7нКл(1479169)
Вид каналу
збагачений(1536812)
Напруга затвор-джерело
Додаткова інформація: Маса брутто: 0,001 g
 
Транзистори з каналом N SMD SI2336DS-T1-GE3
VISHAY
Артикул: 077384
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 4,1А; 1,1Вт; SOT23
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
3+
19.63 грн
25+
12.00 грн
100+
10.65 грн
109+
9.27 грн
Мін. замовлення: 3
Кратність: 1
Кількість: 4005 шт.
Строк поставки:  2-4 тижні
Специфікація
Виробник
VISHAY
Монтаж
SMD
Корпус
SOT23
Напруга сток-джерело
30В
Струм стока
4,1А
Опір в стані провідності
52мОм
Тип транзистора
N-MOSFET
Потужність розсіювання
1,1Вт
Поляризація
польовий
Вид упаковки
cтрічка
Вид упаковки
ролик
Заряд затвора
5,7нКл
Вид каналу
збагачений
Додаткова інформація: Маса брутто: 0,001 g