0 0 0
  8. SI2338DS-T1-GE3

Транзистори з каналом N SMD SI2338DS-T1-GE3

 
SI2338DS-T1-GE3
 
VISHAY
Артикул: 959653
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 6А; Idm: 25А; 1,6Вт; SOT23
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
36.47 грн
10+
28.86 грн
25+
25.77 грн
58+
17.13 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Строк поставки:  уточнюйте
Купити
Виробник
VISHAY(36)
Монтаж
SMD(1436750)
Корпус
SOT23(1440262)
Напруга сток-джерело
30В(1441247)
Струм стока
6А(1441388)
Опір в стані провідності
28мОм(1441275)
Тип транзистора
N-MOSFET(1441241)
Потужність розсіювання
1,6Вт(1449364)
Поляризація
польовий(1441242)
Вид упаковки
cтрічка(1443488) ролик(1437179)
Заряд затвора
13нКл(1479038)
Вид каналу
збагачений(1536812)
Напруга затвор-джерело
Струм стоку в імпульсі
25А(1742151)
Додаткова інформація: Маса брутто: 0,1 g
 
Транзистори з каналом N SMD SI2338DS-T1-GE3
VISHAY
Артикул: 959653
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 6А; Idm: 25А; 1,6Вт; SOT23
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
36.47 грн
10+
28.86 грн
25+
25.77 грн
58+
17.13 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Строк поставки:  уточнюйте
Специфікація
Виробник
VISHAY
Монтаж
SMD
Корпус
SOT23
Напруга сток-джерело
30В
Струм стока
6А
Опір в стані провідності
28мОм
Тип транзистора
N-MOSFET
Потужність розсіювання
1,6Вт
Поляризація
польовий
Вид упаковки
cтрічка
Вид упаковки
ролик
Заряд затвора
13нКл
Вид каналу
збагачений
Струм стоку в імпульсі
25А
Додаткова інформація: Маса брутто: 0,1 g