0 0 0
  8. SI2343DS-T1-GE3

Транзистори з каналом P SMD SI2343DS-T1-GE3

 
SI2343DS-T1-GE3
 
VISHAY
Артикул: 860516
Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; польовий; -30В; -4А; Idm: -15А
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
56.63 грн
5+
44.50 грн
25+
39.72 грн
32+
30.95 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Строк поставки:  уточнюйте
Купити
Виробник
VISHAY(36)
Монтаж
SMD(1436750)
Корпус
SOT23(1440262)
Напруга сток-джерело
-30В(1478951)
Струм стока
-4А(1492238)
Опір в стані провідності
86мОм(1801462)
Тип транзистора
P-MOSFET(1441250)
Потужність розсіювання
1,25Вт(1702038)
Поляризація
польовий(1441242)
Вид упаковки
cтрічка(1443488) ролик(1437179)
Заряд затвора
21нКл(1478964)
Технологія
TrenchFET®(1811164)
Вид каналу
збагачений(1536812)
Напруга затвор-джерело
Струм стоку в імпульсі
-15А(1741670)
Додаткова інформація: Маса брутто: 0,1 g
 
Транзистори з каналом P SMD SI2343DS-T1-GE3
VISHAY
Артикул: 860516
Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; польовий; -30В; -4А; Idm: -15А
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
56.63 грн
5+
44.50 грн
25+
39.72 грн
32+
30.95 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Строк поставки:  уточнюйте
Специфікація
Виробник
VISHAY
Монтаж
SMD
Корпус
SOT23
Напруга сток-джерело
-30В
Струм стока
-4А
Опір в стані провідності
86мОм
Тип транзистора
P-MOSFET
Потужність розсіювання
1,25Вт
Поляризація
польовий
Вид упаковки
cтрічка
Вид упаковки
ролик
Заряд затвора
21нКл
Технологія
TrenchFET®
Вид каналу
збагачений
Струм стоку в імпульсі
-15А
Додаткова інформація: Маса брутто: 0,1 g