0 0 0
  8. SI2347DS-T1-GE3

Транзистори з каналом P SMD SI2347DS-T1-GE3

 
SI2347DS-T1-GE3
 
VISHAY
Артикул: 405829
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -30В; -5А; Idm: -20А; 1,1Вт; SOT23
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
5+
13.51 грн
25+
12.23 грн
100+
10.81 грн
110+
9.38 грн
Мін. замовлення: 5
Кратність: 5
Кількість: 2995 шт.
Строк поставки:  2-4 тижні
Купити
Виробник
VISHAY(36)
Монтаж
SMD(1436750)
Корпус
SOT23(1440262)
Напруга сток-джерело
-30В(1478951)
Струм стока
-5А(1492225)
Опір в стані провідності
42мОм(1478970)
Тип транзистора
P-MOSFET(1441250)
Потужність розсіювання
1,1Вт(1449376)
Поляризація
польовий(1441242)
Вид упаковки
cтрічка(1443488) ролик(1437179)
Заряд затвора
22нКл(1479158)
Вид каналу
збагачений(1536812)
Напруга затвор-джерело
Струм стоку в імпульсі
-20А(1741687)
Додаткова інформація: Маса брутто: 0,025 g
 
Транзистори з каналом P SMD SI2347DS-T1-GE3
VISHAY
Артикул: 405829
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -30В; -5А; Idm: -20А; 1,1Вт; SOT23
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
5+
13.51 грн
25+
12.23 грн
100+
10.81 грн
110+
9.38 грн
Мін. замовлення: 5
Кратність: 5
Кількість: 2995 шт.
Строк поставки:  2-4 тижні
Специфікація
Виробник
VISHAY
Монтаж
SMD
Корпус
SOT23
Напруга сток-джерело
-30В
Струм стока
-5А
Опір в стані провідності
42мОм
Тип транзистора
P-MOSFET
Потужність розсіювання
1,1Вт
Поляризація
польовий
Вид упаковки
cтрічка
Вид упаковки
ролик
Заряд затвора
22нКл
Вид каналу
збагачений
Струм стоку в імпульсі
-20А
Додаткова інформація: Маса брутто: 0,025 g