0 0 0
  8. SI2356DS-T1-GE3

Транзистори з каналом N SMD SI2356DS-T1-GE3

 
SI2356DS-T1-GE3
 
VISHAY
Артикул: 853770
Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; польовий; 40В; 4,3А; Idm: 20А
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
28.75 грн
10+
20.61 грн
25+
16.53 грн
100+
11.58 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Кількість: 5806 шт.
Строк поставки:  2-4 тижні
Купити
Виробник
VISHAY(36)
Монтаж
SMD(1436750)
Корпус
SOT23(1440262)
Напруга сток-джерело
40В(1441244)
Струм стока
4,3А(1441593)
Опір в стані провідності
70мОм(1441497)
Тип транзистора
N-MOSFET(1441241)
Потужність розсіювання
1,7Вт(1515706)
Поляризація
польовий(1441242)
Вид упаковки
cтрічка(1443488) ролик(1437179)
Заряд затвора
13нКл(1479038)
Технологія
TrenchFET®(1811164)
Вид каналу
збагачений(1536812)
Напруга затвор-джерело
Струм стоку в імпульсі
20А(1741666)
Додаткова інформація: Маса брутто: 0,028 g
 
Транзистори з каналом N SMD SI2356DS-T1-GE3
VISHAY
Артикул: 853770
Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; польовий; 40В; 4,3А; Idm: 20А
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
28.75 грн
10+
20.61 грн
25+
16.53 грн
100+
11.58 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Кількість: 5806 шт.
Строк поставки:  2-4 тижні
Специфікація
Виробник
VISHAY
Монтаж
SMD
Корпус
SOT23
Напруга сток-джерело
40В
Струм стока
4,3А
Опір в стані провідності
70мОм
Тип транзистора
N-MOSFET
Потужність розсіювання
1,7Вт
Поляризація
польовий
Вид упаковки
cтрічка
Вид упаковки
ролик
Заряд затвора
13нКл
Технологія
TrenchFET®
Вид каналу
збагачений
Струм стоку в імпульсі
20А
Додаткова інформація: Маса брутто: 0,028 g