0 0 0
  8. SI2365EDS-T1-GE3

Транзистори з каналом P SMD SI2365EDS-T1-GE3

 
SI2365EDS-T1-GE3
 
VISHAY
Артикул: 405830
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -20В; -4,5А; Idm: -20А; 1,1Вт; SOT23
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
5+
11.28 грн
25+
8.74 грн
100+
7.79 грн
150+
6.67 грн
Мін. замовлення: 5
Кратність: 5
Кількість: 1590 шт.
Строк поставки:  2-4 тижні
Купити
Виробник
VISHAY(36)
Монтаж
SMD(1436750)
Корпус
SOT23(1440262)
Напруга сток-джерело
-20В(1478965)
Струм стока
-4,5А(1643117)
Опір в стані провідності
32мОм(1441272)
Тип транзистора
P-MOSFET(1441250)
Потужність розсіювання
1,1Вт(1449376)
Поляризація
польовий(1441242)
Вид упаковки
cтрічка(1443488) ролик(1437179)
Властивості напівпровідникових елементів
ESD protected gate(1712711)
Заряд затвора
36нКл(1479151)
Вид каналу
збагачений(1536812)
Напруга затвор-джерело
Струм стоку в імпульсі
-20А(1741687)
Додаткова інформація: Маса брутто: 0,026 g
 
Транзистори з каналом P SMD SI2365EDS-T1-GE3
VISHAY
Артикул: 405830
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -20В; -4,5А; Idm: -20А; 1,1Вт; SOT23
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
5+
11.28 грн
25+
8.74 грн
100+
7.79 грн
150+
6.67 грн
Мін. замовлення: 5
Кратність: 5
Кількість: 1590 шт.
Строк поставки:  2-4 тижні
Специфікація
Виробник
VISHAY
Монтаж
SMD
Корпус
SOT23
Напруга сток-джерело
-20В
Струм стока
-4,5А
Опір в стані провідності
32мОм
Тип транзистора
P-MOSFET
Потужність розсіювання
1,1Вт
Поляризація
польовий
Вид упаковки
cтрічка
Вид упаковки
ролик
Властивості напівпровідникових елементів
ESD protected gate
Заряд затвора
36нКл
Вид каналу
збагачений
Струм стоку в імпульсі
-20А
Додаткова інформація: Маса брутто: 0,026 g