0 0 0
  8. SI2366DS-T1-GE3

Транзистори з каналом N SMD SI2366DS-T1-GE3

 
SI2366DS-T1-GE3
 
VISHAY
Артикул: 959600
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 5,8А; Idm: 20А; 1,3Вт; SOT23
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
31.87 грн
50+
23.03 грн
85+
11.71 грн
234+
11.07 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Строк поставки:  уточнюйте
Купити
Виробник
VISHAY(36)
Монтаж
SMD(1436750)
Корпус
SOT23(1440262)
Напруга сток-джерело
30В(1441247)
Струм стока
5,8А(1441377)
Опір в стані провідності
36мОм(1479276)
Тип транзистора
N-MOSFET(1441241)
Потужність розсіювання
1,3Вт(1449369)
Поляризація
польовий(1441242)
Вид упаковки
cтрічка(1443488) ролик(1437179)
Заряд затвора
10нКл(1479106)
Вид каналу
збагачений(1536812)
Напруга затвор-джерело
Струм стоку в імпульсі
20А(1741666)
Додаткова інформація: Маса брутто: 0,1 g
 
Транзистори з каналом N SMD SI2366DS-T1-GE3
VISHAY
Артикул: 959600
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 5,8А; Idm: 20А; 1,3Вт; SOT23
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
31.87 грн
50+
23.03 грн
85+
11.71 грн
234+
11.07 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Строк поставки:  уточнюйте
Специфікація
Виробник
VISHAY
Монтаж
SMD
Корпус
SOT23
Напруга сток-джерело
30В
Струм стока
5,8А
Опір в стані провідності
36мОм
Тип транзистора
N-MOSFET
Потужність розсіювання
1,3Вт
Поляризація
польовий
Вид упаковки
cтрічка
Вид упаковки
ролик
Заряд затвора
10нКл
Вид каналу
збагачений
Струм стоку в імпульсі
20А
Додаткова інформація: Маса брутто: 0,1 g