0 0 0
  8. SI2367DS-T1-GE3

Транзистори з каналом P SMD SI2367DS-T1-GE3

 
SI2367DS-T1-GE3
 
VISHAY
Артикул: 953710
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -20В; -3А; 1,1Вт; SOT23
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
27.81 грн
10+
22.33 грн
25+
20.02 грн
85+
11.60 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Строк поставки:  уточнюйте
Купити
Виробник
VISHAY(36)
Монтаж
SMD(1436750)
Корпус
SOT23(1440262)
Напруга сток-джерело
-20В(1478965)
Струм стока
-3А(1492259)
Опір в стані провідності
66мОм(1596074)
Тип транзистора
P-MOSFET(1441250)
Потужність розсіювання
1,1Вт(1449376)
Поляризація
польовий(1441242)
Вид упаковки
cтрічка(1443488) ролик(1437179)
Заряд затвора
9нКл(1609896)
Вид каналу
збагачений(1536812)
Напруга затвор-джерело
Додаткова інформація: Маса брутто: 0,02 g
 
Транзистори з каналом P SMD SI2367DS-T1-GE3
VISHAY
Артикул: 953710
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -20В; -3А; 1,1Вт; SOT23
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
27.81 грн
10+
22.33 грн
25+
20.02 грн
85+
11.60 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Строк поставки:  уточнюйте
Специфікація
Виробник
VISHAY
Монтаж
SMD
Корпус
SOT23
Напруга сток-джерело
-20В
Струм стока
-3А
Опір в стані провідності
66мОм
Тип транзистора
P-MOSFET
Потужність розсіювання
1,1Вт
Поляризація
польовий
Вид упаковки
cтрічка
Вид упаковки
ролик
Заряд затвора
9нКл
Вид каналу
збагачений
Додаткова інформація: Маса брутто: 0,02 g