0 0 0
  8. SI2371EDS-T1-GE3

Транзистори з каналом P SMD SI2371EDS-T1-GE3

 
SI2371EDS-T1-GE3
 
VISHAY
Артикул: 405832
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -30В; -4,8А; Idm: -20А; 1,1Вт; SOT23
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
5+
12.40 грн
25+
11.12 грн
100+
9.85 грн
115+
8.58 грн
Мін. замовлення: 5
Кратність: 5
Строк поставки:  уточнюйте
Купити
Виробник
VISHAY(36)
Монтаж
SMD(1436750)
Корпус
SOT23(1440262)
Напруга сток-джерело
-30В(1478951)
Струм стока
-4,8А(1643364)
Опір в стані провідності
45мОм(1441266)
Тип транзистора
P-MOSFET(1441250)
Потужність розсіювання
1,1Вт(1449376)
Поляризація
польовий(1441242)
Вид упаковки
cтрічка(1443488) ролик(1437179)
Властивості напівпровідникових елементів
ESD protected gate(1712711)
Заряд затвора
35нКл(1479287)
Вид каналу
збагачений(1536812)
Напруга затвор-джерело
Струм стоку в імпульсі
-20А(1741687)
Додаткова інформація: Маса брутто: 0,1 g
 
Транзистори з каналом P SMD SI2371EDS-T1-GE3
VISHAY
Артикул: 405832
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -30В; -4,8А; Idm: -20А; 1,1Вт; SOT23
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
5+
12.40 грн
25+
11.12 грн
100+
9.85 грн
115+
8.58 грн
Мін. замовлення: 5
Кратність: 5
Строк поставки:  уточнюйте
Специфікація
Виробник
VISHAY
Монтаж
SMD
Корпус
SOT23
Напруга сток-джерело
-30В
Струм стока
-4,8А
Опір в стані провідності
45мОм
Тип транзистора
P-MOSFET
Потужність розсіювання
1,1Вт
Поляризація
польовий
Вид упаковки
cтрічка
Вид упаковки
ролик
Властивості напівпровідникових елементів
ESD protected gate
Заряд затвора
35нКл
Вид каналу
збагачений
Струм стоку в імпульсі
-20А
Додаткова інформація: Маса брутто: 0,1 g