0 0 0
  8. SI2387DS-T1-GE3

Транзисторы с каналом P SMD SI2387DS-T1-GE3

 
SI2387DS-T1-GE3
 
VISHAY
Артикул: 953680
Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; польовий; -80В; -3А; Idm: -10А
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
34.16 грн
10+
25.82 грн
25+
19.71 грн
79+
12.63 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Строк поставки:  уточнюйте
Купити
Виробник
VISHAY(36)
Монтаж
SMD(1436750)
Корпус
SOT23(1440262)
Напруга сток-джерело
-80В(1536865)
Струм стока
-3А(1492259)
Опір в стані провідності
242мОм(1986044)
Тип транзистора
P-MOSFET(1441250)
Потужність розсіювання
2,5Вт(1449363)
Поляризація
польовий(1441242)
Вид упаковки
cтрічка(1443488) ролик(1437179)
Заряд затвора
10,2нКл(1936766)
Технологія
TrenchFET®(1811164)
Вид каналу
збагачений(1536812)
Напруга затвор-джерело
Струм стоку в імпульсі
-10А(1788019)
Додаткова інформація: Маса брутто: 0,1 g
 
Транзисторы с каналом P SMD SI2387DS-T1-GE3
VISHAY
Артикул: 953680
Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; польовий; -80В; -3А; Idm: -10А
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
34.16 грн
10+
25.82 грн
25+
19.71 грн
79+
12.63 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Строк поставки:  уточнюйте
Специфікація
Виробник
VISHAY
Монтаж
SMD
Корпус
SOT23
Напруга сток-джерело
-80В
Струм стока
-3А
Опір в стані провідності
242мОм
Тип транзистора
P-MOSFET
Потужність розсіювання
2,5Вт
Поляризація
польовий
Вид упаковки
cтрічка
Вид упаковки
ролик
Заряд затвора
10,2нКл
Технологія
TrenchFET®
Вид каналу
збагачений
Струм стоку в імпульсі
-10А
Додаткова інформація: Маса брутто: 0,1 g