0 0 0
  8. SI3127DV-T1-GE3

Транзистори з каналом P SMD SI3127DV-T1-GE3

 
SI3127DV-T1-GE3
 
VISHAY
Артикул: 405834
Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; польовий; -60В; -5,1А; Idm: -20А
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
33.46 грн
10+
27.25 грн
66+
14.98 грн
180+
14.18 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Строк поставки:  уточнюйте
Купити
Виробник
VISHAY(36)
Монтаж
SMD(1436750)
Корпус
TSOP6(1492290)
Напруга сток-джерело
-60В(1492224)
Струм стока
-5,1А(1492362)
Опір в стані провідності
89мОм(1811025)
Тип транзистора
P-MOSFET(1441250)
Потужність розсіювання
2,7Вт(1741762)
Поляризація
польовий(1441242)
Вид упаковки
cтрічка(1443488) ролик(1437179)
Заряд затвора
30нКл(1479265)
Технологія
TrenchFET®(1811164)
Вид каналу
збагачений(1536812)
Напруга затвор-джерело
Струм стоку в імпульсі
-20А(1741687)
Додаткова інформація: Маса брутто: 0,1 g
 
Транзистори з каналом P SMD SI3127DV-T1-GE3
VISHAY
Артикул: 405834
Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; польовий; -60В; -5,1А; Idm: -20А
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
33.46 грн
10+
27.25 грн
66+
14.98 грн
180+
14.18 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Строк поставки:  уточнюйте
Специфікація
Виробник
VISHAY
Монтаж
SMD
Корпус
TSOP6
Напруга сток-джерело
-60В
Струм стока
-5,1А
Опір в стані провідності
89мОм
Тип транзистора
P-MOSFET
Потужність розсіювання
2,7Вт
Поляризація
польовий
Вид упаковки
cтрічка
Вид упаковки
ролик
Заряд затвора
30нКл
Технологія
TrenchFET®
Вид каналу
збагачений
Струм стоку в імпульсі
-20А
Додаткова інформація: Маса брутто: 0,1 g