0 0 0
  8. SI3421DV-T1-GE3

Транзистори з каналом P SMD SI3421DV-T1-GE3

 
SI3421DV-T1-GE3
 
VISHAY
Артикул: 405836
Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; польовий; -30В; -8А; Idm: -50А
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
36.55 грн
10+
26.22 грн
25+
21.14 грн
57+
17.40 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Кількість: 819 шт.
Строк поставки:  2-4 тижні
Купити
Виробник
VISHAY(36)
Монтаж
SMD(1436750)
Корпус
TSOP6(1492290)
Напруга сток-джерело
-30В(1478951)
Струм стока
-8А(1479035)
Опір в стані провідності
19,2мОм(1744089)
Тип транзистора
P-MOSFET(1441250)
Потужність розсіювання
2,7Вт(1741762)
Поляризація
польовий(1441242)
Вид упаковки
cтрічка(1443488) ролик(1437179)
Заряд затвора
69нКл(1479387)
Технологія
TrenchFET®(1811164)
Вид каналу
збагачений(1536812)
Напруга затвор-джерело
Струм стоку в імпульсі
-50А(1810523)
Додаткова інформація: Маса брутто: 0,029 g
 
Транзистори з каналом P SMD SI3421DV-T1-GE3
VISHAY
Артикул: 405836
Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; польовий; -30В; -8А; Idm: -50А
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
36.55 грн
10+
26.22 грн
25+
21.14 грн
57+
17.40 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Кількість: 819 шт.
Строк поставки:  2-4 тижні
Специфікація
Виробник
VISHAY
Монтаж
SMD
Корпус
TSOP6
Напруга сток-джерело
-30В
Струм стока
-8А
Опір в стані провідності
19,2мОм
Тип транзистора
P-MOSFET
Потужність розсіювання
2,7Вт
Поляризація
польовий
Вид упаковки
cтрічка
Вид упаковки
ролик
Заряд затвора
69нКл
Технологія
TrenchFET®
Вид каналу
збагачений
Струм стоку в імпульсі
-50А
Додаткова інформація: Маса брутто: 0,029 g