0 0 0
  8. SI3433CDV-T1-GE3

Транзистори з каналом P SMD SI3433CDV-T1-GE3

 
SI3433CDV-T1-GE3
 
VISHAY
Артикул: 953719
Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; польовий; -20В; -6А; Idm: -20А
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
35.75 грн
10+
28.21 грн
25+
22.40 грн
83+
12.00 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Строк поставки:  уточнюйте
Купити
Виробник
VISHAY(36)
Монтаж
SMD(1436750)
Корпус
TSOP6(1492290)
Напруга сток-джерело
-20В(1478965)
Струм стока
-6А(1492315)
Опір в стані провідності
38мОм(1610034)
Тип транзистора
P-MOSFET(1441250)
Потужність розсіювання
2,1Вт(1487305)
Поляризація
польовий(1441242)
Вид упаковки
cтрічка(1443488) ролик(1437179)
Заряд затвора
45нКл(1609966)
Технологія
TrenchFET®(1811164)
Вид каналу
збагачений(1536812)
Напруга затвор-джерело
Струм стоку в імпульсі
-20А(1741687)
Додаткова інформація: Маса брутто: 0,1 g
 
Транзистори з каналом P SMD SI3433CDV-T1-GE3
VISHAY
Артикул: 953719
Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; польовий; -20В; -6А; Idm: -20А
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
35.75 грн
10+
28.21 грн
25+
22.40 грн
83+
12.00 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Строк поставки:  уточнюйте
Специфікація
Виробник
VISHAY
Монтаж
SMD
Корпус
TSOP6
Напруга сток-джерело
-20В
Струм стока
-6А
Опір в стані провідності
38мОм
Тип транзистора
P-MOSFET
Потужність розсіювання
2,1Вт
Поляризація
польовий
Вид упаковки
cтрічка
Вид упаковки
ролик
Заряд затвора
45нКл
Технологія
TrenchFET®
Вид каналу
збагачений
Струм стоку в імпульсі
-20А
Додаткова інформація: Маса брутто: 0,1 g