0 0 0
  8. SI3443DDV-T1-GE3

Транзистори з каналом P SMD SI3443DDV-T1-GE3

 
SI3443DDV-T1-GE3
 
VISHAY
Артикул: 140916
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -20В; -4А; 1,7Вт; TSOP6
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
28.60 грн
10+
22.56 грн
25+
17.32 грн
100+
10.57 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Строк поставки:  уточнюйте
Купити
Виробник
VISHAY(36)
Монтаж
SMD(1436750)
Корпус
TSOP6(1492290)
Напруга сток-джерело
-20В(1478965)
Струм стока
-4А(1492238)
Опір в стані провідності
47мОм(1610028)
Тип транзистора
P-MOSFET(1441250)
Потужність розсіювання
1,7Вт(1515706)
Поляризація
польовий(1441242)
Вид упаковки
cтрічка(1443488) ролик(1437179)
Заряд затвора
9нКл(1609896)
Вид каналу
збагачений(1536812)
Напруга затвор-джерело
Додаткова інформація: Маса брутто: 0,1 g
 
Транзистори з каналом P SMD SI3443DDV-T1-GE3
VISHAY
Артикул: 140916
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -20В; -4А; 1,7Вт; TSOP6
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
28.60 грн
10+
22.56 грн
25+
17.32 грн
100+
10.57 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Строк поставки:  уточнюйте
Специфікація
Виробник
VISHAY
Монтаж
SMD
Корпус
TSOP6
Напруга сток-джерело
-20В
Струм стока
-4А
Опір в стані провідності
47мОм
Тип транзистора
P-MOSFET
Потужність розсіювання
1,7Вт
Поляризація
польовий
Вид упаковки
cтрічка
Вид упаковки
ролик
Заряд затвора
9нКл
Вид каналу
збагачений
Додаткова інформація: Маса брутто: 0,1 g