0 0 0
  8. SI3456DDV-T1-GE3

Транзистори з каналом N SMD SI3456DDV-T1-GE3

 
SI3456DDV-T1-GE3
 
VISHAY
Артикул: 724708
Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; польовий; 30В; 6,3А; Idm: 20А
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
5+
14.93 грн
25+
13.50 грн
90+
11.20 грн
240+
10.64 грн
Мін. замовлення: 5
Кратність: 5
Строк поставки:  уточнюйте
Купити
Виробник
VISHAY(36)
Монтаж
SMD(1436750)
Корпус
TSOP6(1492290)
Напруга сток-джерело
30В(1441247)
Струм стока
6,3А(1479155)
Опір в стані провідності
50мОм(1441532)
Тип транзистора
N-MOSFET(1441241)
Потужність розсіювання
2,7Вт(1741762)
Поляризація
польовий(1441242)
Вид упаковки
cтрічка(1443488) ролик(1437179)
Заряд затвора
6нКл(1479087)
Технологія
TrenchFET®(1811164)
Вид каналу
збагачений(1536812)
Напруга затвор-джерело
Струм стоку в імпульсі
20А(1741666)
Додаткова інформація: Маса брутто: 0,1 g
 
Транзистори з каналом N SMD SI3456DDV-T1-GE3
VISHAY
Артикул: 724708
Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; польовий; 30В; 6,3А; Idm: 20А
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
5+
14.93 грн
25+
13.50 грн
90+
11.20 грн
240+
10.64 грн
Мін. замовлення: 5
Кратність: 5
Строк поставки:  уточнюйте
Специфікація
Виробник
VISHAY
Монтаж
SMD
Корпус
TSOP6
Напруга сток-джерело
30В
Струм стока
6,3А
Опір в стані провідності
50мОм
Тип транзистора
N-MOSFET
Потужність розсіювання
2,7Вт
Поляризація
польовий
Вид упаковки
cтрічка
Вид упаковки
ролик
Заряд затвора
6нКл
Технологія
TrenchFET®
Вид каналу
збагачений
Струм стоку в імпульсі
20А
Додаткова інформація: Маса брутто: 0,1 g