0 0 0
  8. SI3457CDV-T1-GE3

Транзистори з каналом P SMD SI3457CDV-T1-GE3

 
SI3457CDV-T1-GE3
 
VISHAY
Артикул: 140918
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -30В; -4,1А; 2Вт; TSOP6
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
37.34 грн
50+
26.86 грн
74+
13.33 грн
204+
12.61 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Кількість: 2015 шт.
Строк поставки:  2-4 тижні
Купити
Виробник
VISHAY(36)
Монтаж
SMD(1436750)
Корпус
TSOP6(1492290)
Напруга сток-джерело
-30В(1478951)
Струм стока
-4,1А(1492348)
Опір в стані провідності
74мОм(1602425)
Тип транзистора
P-MOSFET(1441250)
Потужність розсіювання
2Вт(1507429)
Поляризація
польовий(1441242)
Вид упаковки
cтрічка(1443488) ролик(1437179)
Заряд затвора
5,1нКл(1633636)
Вид каналу
збагачений(1536812)
Напруга затвор-джерело
Додаткова інформація: Маса брутто: 0,037 g
 
Транзистори з каналом P SMD SI3457CDV-T1-GE3
VISHAY
Артикул: 140918
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -30В; -4,1А; 2Вт; TSOP6
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
37.34 грн
50+
26.86 грн
74+
13.33 грн
204+
12.61 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Кількість: 2015 шт.
Строк поставки:  2-4 тижні
Специфікація
Виробник
VISHAY
Монтаж
SMD
Корпус
TSOP6
Напруга сток-джерело
-30В
Струм стока
-4,1А
Опір в стані провідності
74мОм
Тип транзистора
P-MOSFET
Потужність розсіювання
2Вт
Поляризація
польовий
Вид упаковки
cтрічка
Вид упаковки
ролик
Заряд затвора
5,1нКл
Вид каналу
збагачений
Додаткова інформація: Маса брутто: 0,037 g