0 0 0
  8. SI3458BDV-T1-GE3

Транзистори з каналом N SMD SI3458BDV-T1-GE3

 
SI3458BDV-T1-GE3
 
VISHAY
Артикул: 405711
Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; польовий; 60В; 3,2А; Idm: 10А
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
61.46 грн
5+
36.88 грн
25+
32.99 грн
40+
26.20 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Кількість: 1809 шт.
Строк поставки:  2-4 тижні
Купити
Виробник
VISHAY(36)
Монтаж
SMD(1436750)
Корпус
TSOP6(1492290)
Напруга сток-джерело
60В(1441252)
Струм стока
3,2А(1492373)
Опір в стані провідності
0,1Ом(1492330)
Тип транзистора
N-MOSFET(1441241)
Потужність розсіювання
2,1Вт(1487305)
Поляризація
польовий(1441242)
Вид упаковки
cтрічка(1443488) ролик(1437179)
Заряд затвора
11нКл(1479181)
Технологія
TrenchFET®(1811164)
Вид каналу
збагачений(1536812)
Напруга затвор-джерело
Струм стоку в імпульсі
10А(1785364)
Додаткова інформація: Маса брутто: 0,026 g
 
Транзистори з каналом N SMD SI3458BDV-T1-GE3
VISHAY
Артикул: 405711
Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; польовий; 60В; 3,2А; Idm: 10А
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
61.46 грн
5+
36.88 грн
25+
32.99 грн
40+
26.20 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Кількість: 1809 шт.
Строк поставки:  2-4 тижні
Специфікація
Виробник
VISHAY
Монтаж
SMD
Корпус
TSOP6
Напруга сток-джерело
60В
Струм стока
3,2А
Опір в стані провідності
0,1Ом
Тип транзистора
N-MOSFET
Потужність розсіювання
2,1Вт
Поляризація
польовий
Вид упаковки
cтрічка
Вид упаковки
ролик
Заряд затвора
11нКл
Технологія
TrenchFET®
Вид каналу
збагачений
Струм стоку в імпульсі
10А
Додаткова інформація: Маса брутто: 0,026 g