0 0 0
  8. SI3459BDV-T1-GE3

Транзистори з каналом P SMD SI3459BDV-T1-GE3

 
SI3459BDV-T1-GE3
 
VISHAY
Артикул: 853405
Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; польовий; -60В; -2,9А; Idm: -8А
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
57.21 грн
5+
45.29 грн
50+
32.97 грн
53+
18.75 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Кількість: 2534 шт.
Строк поставки:  2-4 тижні
Купити
Виробник
VISHAY(36)
Монтаж
SMD(1436750)
Корпус
TSOP6(1492290)
Напруга сток-джерело
-60В(1492224)
Струм стока
-2,9А(1492295)
Опір в стані провідності
288мОм(1986048)
Тип транзистора
P-MOSFET(1441250)
Потужність розсіювання
3,3Вт(1607485)
Поляризація
польовий(1441242)
Вид упаковки
cтрічка(1443488) ролик(1437179)
Заряд затвора
12нКл(1479115)
Технологія
TrenchFET®(1811164)
Вид каналу
збагачений(1536812)
Напруга затвор-джерело
Струм стоку в імпульсі
-8А(1741671)
Додаткова інформація: Маса брутто: 0,024 g
 
Транзистори з каналом P SMD SI3459BDV-T1-GE3
VISHAY
Артикул: 853405
Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; польовий; -60В; -2,9А; Idm: -8А
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
57.21 грн
5+
45.29 грн
50+
32.97 грн
53+
18.75 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Кількість: 2534 шт.
Строк поставки:  2-4 тижні
Специфікація
Виробник
VISHAY
Монтаж
SMD
Корпус
TSOP6
Напруга сток-джерело
-60В
Струм стока
-2,9А
Опір в стані провідності
288мОм
Тип транзистора
P-MOSFET
Потужність розсіювання
3,3Вт
Поляризація
польовий
Вид упаковки
cтрічка
Вид упаковки
ролик
Заряд затвора
12нКл
Технологія
TrenchFET®
Вид каналу
збагачений
Струм стоку в імпульсі
-8А
Додаткова інформація: Маса брутто: 0,024 g