0 0 0
  8. SI3473CDV-T1-GE3

Транзисторы с каналом P SMD SI3473CDV-T1-GE3

 
SI3473CDV-T1-GE3
 
VISHAY
Артикул: 853276
Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; польовий; -12В; -8А; Idm: -20А
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
49.26 грн
50+
20.10 грн
135+
18.99 грн
3000+
18.91 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Кількість: 2989 шт.
Строк поставки:  2-4 тижні
Купити
Виробник
VISHAY(36)
Монтаж
SMD(1436750)
Корпус
TSOP6(1492290)
Напруга сток-джерело
-12В(1478988)
Струм стока
-8А(1479035)
Опір в стані провідності
36мОм(1479276)
Тип транзистора
P-MOSFET(1441250)
Потужність розсіювання
4,2Вт(1742073)
Поляризація
польовий(1441242)
Вид упаковки
cтрічка(1443488) ролик(1437179)
Заряд затвора
65нКл(1479501)
Технологія
TrenchFET®(1811164)
Вид каналу
збагачений(1536812)
Напруга затвор-джерело
Струм стоку в імпульсі
-20А(1741687)
Додаткова інформація: Маса брутто: 0,032 g
 
Транзисторы с каналом P SMD SI3473CDV-T1-GE3
VISHAY
Артикул: 853276
Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; польовий; -12В; -8А; Idm: -20А
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
49.26 грн
50+
20.10 грн
135+
18.99 грн
3000+
18.91 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Кількість: 2989 шт.
Строк поставки:  2-4 тижні
Специфікація
Виробник
VISHAY
Монтаж
SMD
Корпус
TSOP6
Напруга сток-джерело
-12В
Струм стока
-8А
Опір в стані провідності
36мОм
Тип транзистора
P-MOSFET
Потужність розсіювання
4,2Вт
Поляризація
польовий
Вид упаковки
cтрічка
Вид упаковки
ролик
Заряд затвора
65нКл
Технологія
TrenchFET®
Вид каналу
збагачений
Струм стоку в імпульсі
-20А
Додаткова інформація: Маса брутто: 0,032 g