Транзистори з каналом P SMD SI3483CDV-T1-GE3

 
SI3483CDV-T1-GE3
 
Артикул: 140919
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -30В; -7А; 2,7Вт; TSOP6
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
3+
28.60 грн
25+
25.74 грн
47+
21.37 грн
127+
20.18 грн
Мін. замовлення: 3
Кратність: 1
Кількість: 2439 шт.
Строк поставки:  2-4 тижні
Виробник
VISHAY(36)
Монтаж
SMD(1436750)
Корпус
TSOP6(1492290)
Напруга сток-джерело
-30В(1478951)
Струм стока
-7А(1492276)
Опір в стані провідності
34мОм(1441517)
Тип транзистора
P-MOSFET(1441250)
Потужність розсіювання
2,7Вт(1741762)
Поляризація
польовий(1441242)
Вид упаковки
cтрічка(1443488) ролик(1437179)
Заряд затвора
11,5нКл(1609894)
Вид каналу
збагачений(1536812)
Напруга затвор-джерело
Додаткова інформація: Маса брутто: 0,036 g
 
Транзистори з каналом P SMD SI3483CDV-T1-GE3
VISHAY
Артикул: 140919
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -30В; -7А; 2,7Вт; TSOP6
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
3+
28.60 грн
25+
25.74 грн
47+
21.37 грн
127+
20.18 грн
Мін. замовлення: 3
Кратність: 1
Кількість: 2439 шт.
Строк поставки:  2-4 тижні
Специфікація
Виробник
VISHAY
Монтаж
SMD
Корпус
TSOP6
Напруга сток-джерело
-30В
Струм стока
-7А
Опір в стані провідності
34мОм
Тип транзистора
P-MOSFET
Потужність розсіювання
2,7Вт
Поляризація
польовий
Вид упаковки
cтрічка
Вид упаковки
ролик
Заряд затвора
11,5нКл
Вид каналу
збагачений
Додаткова інформація: Маса брутто: 0,036 g