0 0 0
  8. SI4056DY-T1-GE3

Транзистори з каналом N SMD SI4056DY-T1-GE3

 
SI4056DY-T1-GE3
 
VISHAY
Артикул: 959649
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 11,1А; Idm: 70А; 3,6Вт; SO8
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
64.22 грн
10+
55.58 грн
25+
49.08 грн
30+
33.86 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Строк поставки:  уточнюйте
Купити
Виробник
VISHAY(36)
Монтаж
SMD(1436750)
Корпус
SO8(1441256)
Напруга сток-джерело
100В(1441364)
Струм стока
11,1А(1604786)
Опір в стані провідності
23мОм(1441493)
Тип транзистора
N-MOSFET(1441241)
Потужність розсіювання
3,6Вт(1487310)
Поляризація
польовий(1441242)
Вид упаковки
cтрічка(1443488) ролик(1437179)
Заряд затвора
29,5нКл(1811032)
Вид каналу
збагачений(1536812)
Напруга затвор-джерело
Струм стоку в імпульсі
70А(1759384)
Додаткова інформація: Маса брутто: 0,025 g
 
Транзистори з каналом N SMD SI4056DY-T1-GE3
VISHAY
Артикул: 959649
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 11,1А; Idm: 70А; 3,6Вт; SO8
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
64.22 грн
10+
55.58 грн
25+
49.08 грн
30+
33.86 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Строк поставки:  уточнюйте
Специфікація
Виробник
VISHAY
Монтаж
SMD
Корпус
SO8
Напруга сток-джерело
100В
Струм стока
11,1А
Опір в стані провідності
23мОм
Тип транзистора
N-MOSFET
Потужність розсіювання
3,6Вт
Поляризація
польовий
Вид упаковки
cтрічка
Вид упаковки
ролик
Заряд затвора
29,5нКл
Вид каналу
збагачений
Струм стоку в імпульсі
70А
Додаткова інформація: Маса брутто: 0,025 g