0 0 0
  8. SI4174DY-T1-GE3

Транзистори з каналом N SMD SI4174DY-T1-GE3

 
SI4174DY-T1-GE3
 
VISHAY
Артикул: 077390
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 13,5А; 3,2Вт; SO8
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
73.11 грн
5+
42.27 грн
25+
36.87 грн
32+
32.18 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Кількість: 2062 шт.
Строк поставки:  2-4 тижні
Купити
Виробник
VISHAY(36)
Монтаж
SMD(1436750)
Корпус
SO8(1441256)
Напруга сток-джерело
30В(1441247)
Струм стока
13,5А(1441295)
Опір в стані провідності
9,5мОм(1479384)
Тип транзистора
N-MOSFET(1441241)
Потужність розсіювання
3,2Вт(1449372)
Поляризація
польовий(1441242)
Вид упаковки
cтрічка(1443488) ролик(1437179)
Заряд затвора
8нКл(1479070)
Вид каналу
збагачений(1536812)
Напруга затвор-джерело
Додаткова інформація: Маса брутто: 0,16 g
 
Транзистори з каналом N SMD SI4174DY-T1-GE3
VISHAY
Артикул: 077390
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 13,5А; 3,2Вт; SO8
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
73.11 грн
5+
42.27 грн
25+
36.87 грн
32+
32.18 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Кількість: 2062 шт.
Строк поставки:  2-4 тижні
Специфікація
Виробник
VISHAY
Монтаж
SMD
Корпус
SO8
Напруга сток-джерело
30В
Струм стока
13,5А
Опір в стані провідності
9,5мОм
Тип транзистора
N-MOSFET
Потужність розсіювання
3,2Вт
Поляризація
польовий
Вид упаковки
cтрічка
Вид упаковки
ролик
Заряд затвора
8нКл
Вид каналу
збагачений
Додаткова інформація: Маса брутто: 0,16 g