0 0 0
  8. SI4178DY-T1-GE3

Транзисторы с каналом N SMD SI4178DY-T1-GE3

 
SI4178DY-T1-GE3
 
VISHAY
Артикул: 895456
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 6,7А; 5Вт; SO8
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
43.70 грн
50+
31.94 грн
51+
19.36 грн
140+
18.31 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Кількість: 2493 шт.
Строк поставки:  2-4 тижні
Купити
Виробник
VISHAY(36)
Монтаж
SMD(1436750)
Корпус
SO8(1441256)
Напруга сток-джерело
30В(1441247)
Струм стока
6,7А(1441280)
Опір в стані провідності
33мОм(1441270)
Тип транзистора
N-MOSFET(1441241)
Потужність розсіювання
5Вт(1520960)
Поляризація
польовий(1441242)
Вид упаковки
cтрічка(1443488) ролик(1437179)
Заряд затвора
12нКл(1479115)
Вид каналу
збагачений(1536812)
Напруга затвор-джерело
Додаткова інформація: Маса брутто: 0,116 g
 
Транзисторы с каналом N SMD SI4178DY-T1-GE3
VISHAY
Артикул: 895456
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 6,7А; 5Вт; SO8
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
43.70 грн
50+
31.94 грн
51+
19.36 грн
140+
18.31 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Кількість: 2493 шт.
Строк поставки:  2-4 тижні
Специфікація
Виробник
VISHAY
Монтаж
SMD
Корпус
SO8
Напруга сток-джерело
30В
Струм стока
6,7А
Опір в стані провідності
33мОм
Тип транзистора
N-MOSFET
Потужність розсіювання
5Вт
Поляризація
польовий
Вид упаковки
cтрічка
Вид упаковки
ролик
Заряд затвора
12нКл
Вид каналу
збагачений
Додаткова інформація: Маса брутто: 0,116 g