0 0 0
  8. SI4425FDY-T1-GE3

Транзистори з каналом P SMD SI4425FDY-T1-GE3

 
SI4425FDY-T1-GE3
 
VISHAY
Артикул: 860515
Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; польовий; -30В; -18,3А; Idm: -70А
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
50.25 грн
3+
46.81 грн
10+
39.08 грн
25+
35.25 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Строк поставки:  уточнюйте
Купити
Виробник
VISHAY(36)
Монтаж
SMD(1436750)
Корпус
SO8(1441256)
Напруга сток-джерело
-30В(1478951)
Струм стока
-18,3А(1811145)
Опір в стані провідності
16мОм(1479178)
Тип транзистора
P-MOSFET(1441250)
Потужність розсіювання
4,8Вт(1785124)
Поляризація
польовий(1441242)
Вид упаковки
cтрічка(1443488) ролик(1437179)
Заряд затвора
41нКл(1479238)
Технологія
TrenchFET®(1811164)
Вид каналу
збагачений(1536812)
Струм стоку в імпульсі
-70А(1811056)
Додаткова інформація: Маса брутто: 0,1 g
 
Транзистори з каналом P SMD SI4425FDY-T1-GE3
VISHAY
Артикул: 860515
Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; польовий; -30В; -18,3А; Idm: -70А
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
50.25 грн
3+
46.81 грн
10+
39.08 грн
25+
35.25 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Строк поставки:  уточнюйте
Специфікація
Виробник
VISHAY
Монтаж
SMD
Корпус
SO8
Напруга сток-джерело
-30В
Струм стока
-18,3А
Опір в стані провідності
16мОм
Тип транзистора
P-MOSFET
Потужність розсіювання
4,8Вт
Поляризація
польовий
Вид упаковки
cтрічка
Вид упаковки
ролик
Заряд затвора
41нКл
Технологія
TrenchFET®
Вид каналу
збагачений
Струм стоку в імпульсі
-70А
Додаткова інформація: Маса брутто: 0,1 g