Транзистори з каналом P SMD SI4431CDY-T1-GE3

 
SI4431CDY-T1-GE3
 
Артикул: 405843
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -30В; -7,2А; Idm: -30А; 2,7Вт; SO8
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
52.44 грн
39+
25.75 грн
106+
24.34 грн
1000+
23.44 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Кількість: 842 шт.
Строк поставки:  2-4 тижні
Виробник
VISHAY(36)
Монтаж
SMD(1436750)
Корпус
SO8(1441256)
Напруга сток-джерело
-30В(1478951)
Струм стока
-7,2А(1492368)
Опір в стані провідності
32мОм(1441272)
Тип транзистора
P-MOSFET(1441250)
Потужність розсіювання
2,7Вт(1741762)
Поляризація
польовий(1441242)
Вид упаковки
cтрічка(1443488) ролик(1437179)
Заряд затвора
38нКл(1479182)
Вид каналу
збагачений(1536812)
Напруга затвор-джерело
Струм стоку в імпульсі
-30А(1811033)
Додаткова інформація: Маса брутто: 0,157 g
 
Транзистори з каналом P SMD SI4431CDY-T1-GE3
VISHAY
Артикул: 405843
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -30В; -7,2А; Idm: -30А; 2,7Вт; SO8
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
52.44 грн
39+
25.75 грн
106+
24.34 грн
1000+
23.44 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Кількість: 842 шт.
Строк поставки:  2-4 тижні
Специфікація
Виробник
VISHAY
Монтаж
SMD
Корпус
SO8
Напруга сток-джерело
-30В
Струм стока
-7,2А
Опір в стані провідності
32мОм
Тип транзистора
P-MOSFET
Потужність розсіювання
2,7Вт
Поляризація
польовий
Вид упаковки
cтрічка
Вид упаковки
ролик
Заряд затвора
38нКл
Вид каналу
збагачений
Струм стоку в імпульсі
-30А
Додаткова інформація: Маса брутто: 0,157 g