0 0 0
  8. SI4435DDY-T1-GE3

Транзистори з каналом P SMD SI4435DDY-T1-GE3

 
SI4435DDY-T1-GE3
 
VISHAY
Артикул: 405844
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -30В; -9,1А; Idm: -50А; 3,2Вт; SO8
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
51.64 грн
50+
19.94 грн
137+
18.83 грн
7500+
18.43 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Кількість: 2500 шт.
Строк поставки:  2-4 тижні
Купити
Виробник
VISHAY(36)
Монтаж
SMD(1436750)
Корпус
SO8(1441256)
Напруга сток-джерело
-30В(1478951)
Струм стока
-9,1А(1811153)
Опір в стані провідності
24мОм(1441281)
Тип транзистора
P-MOSFET(1441250)
Потужність розсіювання
3,2Вт(1449372)
Поляризація
польовий(1441242)
Вид упаковки
cтрічка(1443488) ролик(1437179)
Заряд затвора
50нКл(1479381)
Вид каналу
збагачений(1536812)
Напруга затвор-джерело
Струм стоку в імпульсі
-50А(1810523)
Додаткова інформація: Маса брутто: 0,145 g
 
Транзистори з каналом P SMD SI4435DDY-T1-GE3
VISHAY
Артикул: 405844
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -30В; -9,1А; Idm: -50А; 3,2Вт; SO8
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
51.64 грн
50+
19.94 грн
137+
18.83 грн
7500+
18.43 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Кількість: 2500 шт.
Строк поставки:  2-4 тижні
Специфікація
Виробник
VISHAY
Монтаж
SMD
Корпус
SO8
Напруга сток-джерело
-30В
Струм стока
-9,1А
Опір в стані провідності
24мОм
Тип транзистора
P-MOSFET
Потужність розсіювання
3,2Вт
Поляризація
польовий
Вид упаковки
cтрічка
Вид упаковки
ролик
Заряд затвора
50нКл
Вид каналу
збагачений
Струм стоку в імпульсі
-50А
Додаткова інформація: Маса брутто: 0,145 g