0 0 0
  8. SI4435FDY-T1-GE3

Транзистори з каналом P SMD SI4435FDY-T1-GE3

 
SI4435FDY-T1-GE3
 
VISHAY
Артикул: 725809
Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; польовий; -30В; -12,6А; Idm: -32А
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
33.37 грн
10+
26.46 грн
50+
18.83 грн
70+
14.22 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Кількість: 1503 шт.
Строк поставки:  2-4 тижні
Купити
Виробник
VISHAY(36)
Монтаж
SMD(1436750)
Корпус
SO8(1441256)
Напруга сток-джерело
-30В(1478951)
Струм стока
-12,6А(1600700)
Опір в стані провідності
30мОм(1441278)
Тип транзистора
P-MOSFET(1441250)
Потужність розсіювання
4,8Вт(1785124)
Поляризація
польовий(1441242)
Вид упаковки
cтрічка(1443488) ролик(1437179)
Заряд затвора
28нКл(1479173)
Технологія
TrenchFET®(1811164)
Вид каналу
збагачений(1536812)
Напруга затвор-джерело
Струм стоку в імпульсі
-32А(1741684)
Додаткова інформація: Маса брутто: 0,165 g
 
Транзистори з каналом P SMD SI4435FDY-T1-GE3
VISHAY
Артикул: 725809
Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; польовий; -30В; -12,6А; Idm: -32А
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
33.37 грн
10+
26.46 грн
50+
18.83 грн
70+
14.22 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Кількість: 1503 шт.
Строк поставки:  2-4 тижні
Специфікація
Виробник
VISHAY
Монтаж
SMD
Корпус
SO8
Напруга сток-джерело
-30В
Струм стока
-12,6А
Опір в стані провідності
30мОм
Тип транзистора
P-MOSFET
Потужність розсіювання
4,8Вт
Поляризація
польовий
Вид упаковки
cтрічка
Вид упаковки
ролик
Заряд затвора
28нКл
Технологія
TrenchFET®
Вид каналу
збагачений
Струм стоку в імпульсі
-32А
Додаткова інформація: Маса брутто: 0,165 g