0 0 0
  8. SI4447ADY-T1-GE3

Транзистори з каналом P SMD SI4447ADY-T1-GE3

 
SI4447ADY-T1-GE3
 
VISHAY
Артикул: 853378
Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; польовий; -40В; -7,2А; Idm: -20А
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
38.93 грн
10+
33.05 грн
25+
29.79 грн
42+
23.75 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Кількість: 2399 шт.
Строк поставки:  2-4 тижні
Купити
Виробник
VISHAY(36)
Монтаж
SMD(1436750)
Корпус
SO8(1441256)
Напруга сток-джерело
-40В(1441467)
Струм стока
-7,2А(1492368)
Опір в стані провідності
62мОм(1441261)
Тип транзистора
P-MOSFET(1441250)
Потужність розсіювання
4,2Вт(1742073)
Поляризація
польовий(1441242)
Вид упаковки
cтрічка(1443488) ролик(1437179)
Заряд затвора
38нКл(1479182)
Технологія
TrenchFET®(1811164)
Вид каналу
збагачений(1536812)
Напруга затвор-джерело
Струм стоку в імпульсі
-20А(1741687)
Додаткова інформація: Маса брутто: 0,142 g
 
Транзистори з каналом P SMD SI4447ADY-T1-GE3
VISHAY
Артикул: 853378
Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; польовий; -40В; -7,2А; Idm: -20А
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
38.93 грн
10+
33.05 грн
25+
29.79 грн
42+
23.75 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Кількість: 2399 шт.
Строк поставки:  2-4 тижні
Специфікація
Виробник
VISHAY
Монтаж
SMD
Корпус
SO8
Напруга сток-джерело
-40В
Струм стока
-7,2А
Опір в стані провідності
62мОм
Тип транзистора
P-MOSFET
Потужність розсіювання
4,2Вт
Поляризація
польовий
Вид упаковки
cтрічка
Вид упаковки
ролик
Заряд затвора
38нКл
Технологія
TrenchFET®
Вид каналу
збагачений
Струм стоку в імпульсі
-20А
Додаткова інформація: Маса брутто: 0,142 g