0 0 0
  8. SI4447DY-T1-GE3

Транзисторы с каналом P SMD SI4447DY-T1-GE3

 
SI4447DY-T1-GE3
 
VISHAY
Артикул: 853277
Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; польовий; -40В; -4,5А; Idm: -30А
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
60.38 грн
10+
51.33 грн
25+
46.24 грн
27+
36.86 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Строк поставки:  уточнюйте
Купити
Виробник
VISHAY(36)
Монтаж
SMD(1436750)
Корпус
SO8(1441256)
Напруга сток-джерело
-40В(1441467)
Струм стока
-4,5А(1643117)
Опір в стані провідності
72мОм(1520449)
Тип транзистора
P-MOSFET(1441250)
Потужність розсіювання
2Вт(1507429)
Поляризація
польовий(1441242)
Вид упаковки
cтрічка(1443488) ролик(1437179)
Заряд затвора
14нКл(1479029)
Технологія
TrenchFET®(1811164)
Вид каналу
збагачений(1536812)
Напруга затвор-джерело
Струм стоку в імпульсі
-30А(1811033)
Додаткова інформація: Маса брутто: 0,1 g
 
Транзисторы с каналом P SMD SI4447DY-T1-GE3
VISHAY
Артикул: 853277
Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; польовий; -40В; -4,5А; Idm: -30А
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
60.38 грн
10+
51.33 грн
25+
46.24 грн
27+
36.86 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Строк поставки:  уточнюйте
Специфікація
Виробник
VISHAY
Монтаж
SMD
Корпус
SO8
Напруга сток-джерело
-40В
Струм стока
-4,5А
Опір в стані провідності
72мОм
Тип транзистора
P-MOSFET
Потужність розсіювання
2Вт
Поляризація
польовий
Вид упаковки
cтрічка
Вид упаковки
ролик
Заряд затвора
14нКл
Технологія
TrenchFET®
Вид каналу
збагачений
Струм стоку в імпульсі
-30А
Додаткова інформація: Маса брутто: 0,1 g