0 0 0
  8. SI4455DY-T1-GE3

Транзистори з каналом P SMD SI4455DY-T1-GE3

 
SI4455DY-T1-GE3
 
VISHAY
Артикул: 140925
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -150В; -2,3А; 3,8Вт; SO8
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
93.55 грн
5+
84.03 грн
15+
68.97 грн
39+
65.80 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Строк поставки:  уточнюйте
Купити
Виробник
VISHAY(36)
Монтаж
SMD(1436750)
Корпус
SO8(1441256)
Напруга сток-джерело
-150В(1478961)
Струм стока
-2,3А(1479077)
Опір в стані провідності
0,295Ом(1738133)
Тип транзистора
P-MOSFET(1441250)
Потужність розсіювання
3,8Вт(1449546)
Поляризація
польовий(1441242)
Вид упаковки
cтрічка(1443488) ролик(1437179)
Заряд затвора
23,2нКл(1738134)
Вид каналу
збагачений(1536812)
Напруга затвор-джерело
Додаткова інформація: Маса брутто: 0,2 g
 
Транзистори з каналом P SMD SI4455DY-T1-GE3
VISHAY
Артикул: 140925
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -150В; -2,3А; 3,8Вт; SO8
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
93.55 грн
5+
84.03 грн
15+
68.97 грн
39+
65.80 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Строк поставки:  уточнюйте
Специфікація
Виробник
VISHAY
Монтаж
SMD
Корпус
SO8
Напруга сток-джерело
-150В
Струм стока
-2,3А
Опір в стані провідності
0,295Ом
Тип транзистора
P-MOSFET
Потужність розсіювання
3,8Вт
Поляризація
польовий
Вид упаковки
cтрічка
Вид упаковки
ролик
Заряд затвора
23,2нКл
Вид каналу
збагачений
Додаткова інформація: Маса брутто: 0,2 g