0 0 0
  8. SI4463CDY-T1-GE3

Транзистори з каналом P SMD SI4463CDY-T1-GE3

 
SI4463CDY-T1-GE3
 
VISHAY
Артикул: 853437
Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; польовий; -20В; -18,6А; Idm: -60А
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
65.15 грн
3+
59.35 грн
10+
54.03 грн
25+
39.49 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Строк поставки:  уточнюйте
Купити
Виробник
VISHAY(36)
Монтаж
SMD(1436750)
Корпус
SO8(1441256)
Напруга сток-джерело
-20В(1478965)
Струм стока
-18,6А(1600729)
Опір в стані провідності
14мОм(1441294)
Тип транзистора
P-MOSFET(1441250)
Потужність розсіювання
5Вт(1520960)
Поляризація
польовий(1441242)
Вид упаковки
cтрічка(1443488) ролик(1437179)
Заряд затвора
162нКл(1750609)
Технологія
TrenchFET®(1811164)
Вид каналу
збагачений(1536812)
Напруга затвор-джерело
Струм стоку в імпульсі
-60А(1811034)
Додаткова інформація: Маса брутто: 0,1 g
 
Транзистори з каналом P SMD SI4463CDY-T1-GE3
VISHAY
Артикул: 853437
Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; польовий; -20В; -18,6А; Idm: -60А
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
65.15 грн
3+
59.35 грн
10+
54.03 грн
25+
39.49 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Строк поставки:  уточнюйте
Специфікація
Виробник
VISHAY
Монтаж
SMD
Корпус
SO8
Напруга сток-джерело
-20В
Струм стока
-18,6А
Опір в стані провідності
14мОм
Тип транзистора
P-MOSFET
Потужність розсіювання
5Вт
Поляризація
польовий
Вид упаковки
cтрічка
Вид упаковки
ролик
Заряд затвора
162нКл
Технологія
TrenchFET®
Вид каналу
збагачений
Струм стоку в імпульсі
-60А
Додаткова інформація: Маса брутто: 0,1 g