0 0 0
  8. SI4483ADY-T1-GE3

Транзистори з каналом P SMD SI4483ADY-T1-GE3

 
SI4483ADY-T1-GE3
 
VISHAY
Артикул: 140928
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -30В; -15,4А; 3,8Вт; SO8
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
98.47 грн
5+
88.95 грн
14+
70.68 грн
39+
66.71 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Кількість: 2032 шт.
Строк поставки:  2-4 тижні
Купити
Виробник
VISHAY(36)
Монтаж
SMD(1436750)
Корпус
SO8(1441256)
Напруга сток-джерело
-30В(1478951)
Струм стока
-15,4А(1738135)
Опір в стані провідності
8,8мОм(1479486)
Тип транзистора
P-MOSFET(1441250)
Потужність розсіювання
3,8Вт(1449546)
Поляризація
польовий(1441242)
Вид упаковки
cтрічка(1443488) ролик(1437179)
Заряд затвора
44,8нКл(1738136)
Вид каналу
збагачений(1536812)
Напруга затвор-джерело
Додаткова інформація: Маса брутто: 0,142 g
 
Транзистори з каналом P SMD SI4483ADY-T1-GE3
VISHAY
Артикул: 140928
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -30В; -15,4А; 3,8Вт; SO8
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
98.47 грн
5+
88.95 грн
14+
70.68 грн
39+
66.71 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Кількість: 2032 шт.
Строк поставки:  2-4 тижні
Специфікація
Виробник
VISHAY
Монтаж
SMD
Корпус
SO8
Напруга сток-джерело
-30В
Струм стока
-15,4А
Опір в стані провідності
8,8мОм
Тип транзистора
P-MOSFET
Потужність розсіювання
3,8Вт
Поляризація
польовий
Вид упаковки
cтрічка
Вид упаковки
ролик
Заряд затвора
44,8нКл
Вид каналу
збагачений
Додаткова інформація: Маса брутто: 0,142 g