0 0 0
  7. SI4532CDY-T1-GE3

Транзистори багатоканальні SI4532CDY-T1-GE3

 
SI4532CDY-T1-GE3
 
VISHAY
Артикул: 1145575
Транзистор: N/P-MOSFET; TrenchFET®; польовий; 30/-30В; 4,9/-3,4А
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
67.50 грн
5+
28.90 грн
25+
26.05 грн
50+
20.05 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Кількість: 2482 шт.
Строк поставки:  2-4 тижні
Купити
Виробник
VISHAY(36)
Монтаж
SMD(1436750)
Корпус
SO8(1441256)
Напруга сток-джерело
30/-30В(1596055)
Струм стока
4,9/-3,4А(1811156)
Опір в стані провідності
47/89мОм(1811036)
Тип транзистора
N/P-MOSFET(1441267)
Потужність розсіювання
1,78Вт(1811035)
Поляризація
польовий(1441242)
Вид упаковки
cтрічка(1443488) ролик(1437179)
Заряд затвора
9/12нКл(1633337)
Технологія
TrenchFET®(1811164)
Вид каналу
збагачений(1536812)
Напруга затвор-джерело
Додаткова інформація: Маса брутто: 0,168 g
 
Транзистори багатоканальні SI4532CDY-T1-GE3
VISHAY
Артикул: 1145575
Транзистор: N/P-MOSFET; TrenchFET®; польовий; 30/-30В; 4,9/-3,4А
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
67.50 грн
5+
28.90 грн
25+
26.05 грн
50+
20.05 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Кількість: 2482 шт.
Строк поставки:  2-4 тижні
Специфікація
Виробник
VISHAY
Монтаж
SMD
Корпус
SO8
Напруга сток-джерело
30/-30В
Струм стока
4,9/-3,4А
Опір в стані провідності
47/89мОм
Тип транзистора
N/P-MOSFET
Потужність розсіювання
1,78Вт
Поляризація
польовий
Вид упаковки
cтрічка
Вид упаковки
ролик
Заряд затвора
9/12нКл
Технологія
TrenchFET®
Вид каналу
збагачений
Додаткова інформація: Маса брутто: 0,168 g