Транзистори багатоканальні SI4559ADY-T1-GE3

 
SI4559ADY-T1-GE3
 
Артикул: 405329
Транзистор: N/P-MOSFET; TrenchFET®; польовий; 60/-60В; 4,3/-3,2А
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
56.28 грн
5+
44.39 грн
25+
38.84 грн
30+
33.53 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Кількість: 2950 шт.
Строк поставки:  2-4 тижні
Виробник
VISHAY(36)
Монтаж
SMD(1436750)
Корпус
SO8(1441256)
Напруга сток-джерело
60/-60В(1596127)
Струм стока
4,3/-3,2А(1811157)
Опір в стані провідності
58/120мОм(1811039)
Тип транзистора
N/P-MOSFET(1441267)
Потужність розсіювання
2/2,2Вт(1811038)
Поляризація
польовий(1441242)
Вид упаковки
cтрічка(1443488) ролик(1437179)
Заряд затвора
20/22нКл(1811040)
Технологія
TrenchFET®(1811164)
Вид каналу
збагачений(1536812)
Напруга затвор-джерело
Додаткова інформація: Маса брутто: 0,165 g
 
Транзистори багатоканальні SI4559ADY-T1-GE3
VISHAY
Артикул: 405329
Транзистор: N/P-MOSFET; TrenchFET®; польовий; 60/-60В; 4,3/-3,2А
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
56.28 грн
5+
44.39 грн
25+
38.84 грн
30+
33.53 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Кількість: 2950 шт.
Строк поставки:  2-4 тижні
Специфікація
Виробник
VISHAY
Монтаж
SMD
Корпус
SO8
Напруга сток-джерело
60/-60В
Струм стока
4,3/-3,2А
Опір в стані провідності
58/120мОм
Тип транзистора
N/P-MOSFET
Потужність розсіювання
2/2,2Вт
Поляризація
польовий
Вид упаковки
cтрічка
Вид упаковки
ролик
Заряд затвора
20/22нКл
Технологія
TrenchFET®
Вид каналу
збагачений
Додаткова інформація: Маса брутто: 0,165 g